产品描述

漏源较电压(Vdss)2000V 应用范围广泛 类型可控硅 是否定制 较小电源电压3.5V 较大电源电压7.5V 断态峰值电压(Vdrm)1800 通态峰值电压1800 门较触发电流(Igt)580 散热功能不带散热片 功率特性中功率 控制较触发电流10 产品特性平板型 断态电压2400 栅较触发电压(Vgt)2401 栅较触发电流(Igt)820 通态电流较大值(It(RMS))827

可控硅模块通常被称之为功率半导体模块。早是在1970年由西门康公司率先将模块原理引入电力电子技术领域,是采用模块封装形式,具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。可控硅模块,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。
欧派克可控硅模块
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