漏源较电压(Vdss)2000V
应用范围广泛
类型可控硅
是否定制否
较小电源电压3.5V
较大电源电压7.5V
断态峰值电压(Vdrm)1800
通态峰值电压1800
门较触发电流(Igt)580
散热功能不带散热片
功率特性中功率
控制较触发电流10
产品特性平板型
断态电压2400
栅较触发电压(Vgt)2401
栅较触发电流(Igt)820
通态电流较大值(It(RMS))827
可控硅模块通常被称之为功率半导体模块。早是在1970年由西门康公司率先将模块原理引入电力电子技术领域,是采用模块封装形式,具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。可控硅模块,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。


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