控制方式单向
封装材料金属封装
散热功能不带散热片
频率特性高频
功率特性大功率
额定正向平均电流750A
产品特性平板型
系列可控硅
断态电压3200
保持电流较大值(Ih)801
通态电流较大值(It(RMS))805
不重复浪涌电流(Itsm)808
较大耗散功率10-3600
应用领域电工电气
Tjmax [°С]160°C
Rthjc [°С/W]0.0420
可控硅的特性：常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三管触发电路、利用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路，等等；
可控硅的主要参数有：
1、 额定通态平均电流在一定条件下，阳---阴间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值；
2、 正向阻断峰值电压：在控制开路未加触发信号，阳正向电压还未**过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能**过手册给出的这个参数值；
3、 反向阻断峰值电压：当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能**过手册给出的这个参数值；
4、 触发电压在规定的环境温度下，阳---阴间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的小控制电流和电压；
5、 维持电流：在规定温度下，控制断路，维持可控硅导通所必需的小阳正向电流。许多新型可控硅元件相继问世，如适于应用的快速可控硅，可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅，可以用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。
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