系列IGBT系列
封装标准封装
可控硅类型硅（si）
种类化合物半导体
封装材料塑料封装
控制方式双向
频率特性中频
功率特性中功率
封装外形平底形
关断速度普通
散热功能不带散热片
控制较触发电压800A
控制较触发电流800A
正向重复峰值电压1700V
反向阻断峰值电压1700V
材质金属
数量9999
全新原包装模组 芯片
可售卖地全国
一般保存IGBT模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃ ，常湿的规定在45～75%左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿; 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合； 在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象，因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方； 保管时，须注意不要在IGBT模块上堆放重物； 装IGBT模块的容器，应选用不带静电的容器。
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