中车晶闸管 KP5 400-20 可控硅做开关电路

可控硅调光原理：
如图为*切相可控硅调光电路，当C2上的电压达到或**过可控硅G较正触发电压时，可控硅会在每个AC电压*导通，当可控硅电流降至其维持电流以下后，可控硅关断，且必须等到C2重新充电至其G较正触发电压以上后才能重新导通。通过调节R2电阻值改变C2的充电速度，可改变可控硅导通的相位角，变化范围接近于0-180
LED调光存在的问题：
企业销售功率平板式晶闸管、可控硅、二极管、IGBT，
如EUPEC、西门康、西码、三社、富士、三菱、ABB、三社、IR、 开关电源等国外功率模块。
ZP型普通整流管、ZK型 快速整流管、KP型普通晶闸管、KS型双向晶闸管、KK型快速晶闸管、KG型高频晶闸管、桥式整流器、电力模块、肖特基模块、
SF**快恢复二极管、电焊机模块、固态继电器、计算机、固态调压器、型材散热器等电力半导体器件。
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主要客户群体 ：焊机厂、变频器厂、软启动厂、电梯厂、电源厂、矿山


可控硅使用的10条必须要知道的规则:
1、为了导通闸流管（或双向可控硅），必须有门较电流≧IGT ，直至负载电流达到≧IL 。这条件必须满足，并按可能遇到的低温度考虑；
2、要断开（切换）闸流管（或双向可控硅），负载电流必须 间，使能回复至截止状态。在可能的高运行温度下必须满足上述条件；
3、设计双向可控硅触发电路时，只要有可能，就要避开3+象限（WT2-，+）；
4、为减少杂波吸收，门较连线长度降至低。返回线直接连至MT1（或阴极）。若用硬线，用螺旋双线或屏蔽线。门较和MT1 间加电阻1kΩ或更小。高频旁路电容和门较间串接电阻。另一解决办法，选用H 系列低灵敏度双向可控硅；
5、若dVD/dt 或dVCOM/dt 可能引起问题，在MT1 和MT2 间加入RC 缓冲电路。若高dICOM/dt 可能引起问题，加入一几mH 的电感和负载串联。另一种解决办法，采用Hi-Com 双向可控硅；
6、假如双向可控硅的VDRM 在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被**出，采用下列措施之一：
负载上串联电感量为几μH 的不饱和电感，以限制dIT/dt；
用MOV 跨接于电源，并在电源侧增加滤波电路；
7、选用好的门较触发电路，避开3+象限工况，可以较大限度提高双向可控硅的dIT/dt 承受能力；
8、若双向可控硅的dIT/dt 有可能被**出，负载上串联一个几μH 的无铁芯电感或负温度系数的热敏电阻。另一种解决办法：对电阻性负载采用零电压导通；
9、器件固定到散热器时，避免让双向可控硅受到应力。固定，然后焊接引线。不要把铆钉芯轴放在器件接口片一侧；
10、为了长期可靠工作，应保证Rth j-a 足够低，维持Tj 不**Tjmax ,其值相应于可能的较高环境温度。
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