系列IGBT系列
封装标准封装
可控硅类型硅（si）
种类化合物半导体
封装材料塑料封装
控制方式双向
频率特性中频
功率特性中功率
封装外形平底形
关断速度普通
散热功能不带散热片
控制较触发电压800A
控制较触发电流800A
正向重复峰值电压1700V
反向阻断峰值电压1700V
材质金属
数量9999
全新原包装模组 芯片
可售卖地全国
IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗，发热加剧，选用时应该降等使用。
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