系列IGBT系列
封装标准封装
可控硅类型硅（si）
种类化合物半导体
封装材料塑料封装
控制方式双向
频率特性中频
功率特性中功率
封装外形平底形
关断速度普通
散热功能不带散热片
控制较触发电压800A
控制较触发电流800A
正向重复峰值电压1700V
反向阻断峰值电压1700V
材质金属
数量9999
全新原包装模组 芯片
可售卖地全国
随着IGBT芯片技术的不断发展，芯片的高工作结温与功率密度不断提高， IGBT模块技术也要与之相适应。未来IGBT模块技术将围绕 芯片背面焊接固定 与 正面电极互连 两方面改进。模块技术发展趋势：无焊接、 无引线键合及无衬板/基板封装技术；内部集成温度传感器、电流传感器及驱动电路等功能元件，不断提高IGBT模块的功率密度、集成度及智能度。
http://jukendz.cn.b2b168.com
