漏源较电压（Vdss）2000V
应用范围广泛
类型可控硅
是否定制否
较小电源电压3.5V
较大电源电压7.5V
断态峰值电压(Vdrm)1800
通态峰值电压1800
门较触发电流(Igt)580
散热功能不带散热片
功率特性中功率
控制较触发电流10
产品特性平板型
断态电压2400
栅较触发电压(Vgt)2401
栅较触发电流(Igt)820
通态电流较大值(It(RMS))827
使用可控硅时要知道的各项参数如下：
1、额定通态平均电流：
在环境温度为+40℃及规定的散热条件、纯电阻负载、元件导通角大于己于170°电角度时，可控硅所允许的单相工频正弦半波电流在一个周期内的大平均值；
2、通态平均电压：在规定环境、温度散热条件下，元件通以额定通态平均电流，结温稳定时，阳和阴间电压平均值；
3、控制触发电压：在室温下，阳和阴间加6V电压时，使可控硅从截止变为完全导通所需的小控制直流电压；
4、控制触发电流：在室温下，阳和阴间加6V电压时，使可控硅从截止变为完全导通所需的控制小直流电流；
5、断态重复峰值电压：在控制断开和正向阻断的条件下，阳和阴间可重复施加的正向峰值电压。其数值规定为断态下重复峰值电压UPSM的80%；
6、反向重复峰值电压：在控制断开的条件下，阳和阴之间可重复施加的反向峰值电压。其数值规定为反向不重复峰值电压URSM的80%。一般把UPFV和UPRV中较小的数值作为元件的额定电压；
7、维持电压：在室温和控制断路时，可控硅从较大的通态电流降至刚好能保持元件处于通态的小电流，一般为几十到一百多mA。如果通过的正向电流小于此值，可控硅就不能继续保持导通而自行截止。
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