控制方式单向
封装材料金属封装
散热功能不带散热片
频率特性高频
功率特性大功率
额定正向平均电流750A
产品特性平板型
系列可控硅
断态电压3200
保持电流较大值(Ih)801
通态电流较大值(It(RMS))805
不重复浪涌电流(Itsm)808
较大耗散功率10-3600
应用领域电工电气
Tjmax [°С]160°C
Rthjc [°С/W]0.0420
一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,创制于1957年,由于它特性类似于真空闸流管,所以国际上通称为硅晶体闸流管,简称可控硅T。又由于可控硅初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件,简称为可控硅SCR。
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