系列IGBT系列
封装标准封装
可控硅类型硅（si）
种类化合物半导体
封装材料塑料封装
控制方式双向
频率特性中频
功率特性中功率
封装外形平底形
关断速度普通
散热功能不带散热片
控制较触发电压800A
控制较触发电流800A
正向重复峰值电压1700V
反向阻断峰值电压1700V
材质金属
数量9999
全新原包装模组 芯片
可售卖地全国
正式商用的IGBT器件的电压和电流容量还很有限，远远不能满足电力电子应用技术发展的需求；高压领域的许多应用中，要求器件的电压等级达到10KV以上，目前只能通过IGBT高压串联等技术来实现高压应用。国外的一些厂家如瑞士ABB公司采用软穿通原则研制出了8KV的IGBT器件，德国的EUPEC生产的6500V/600A高压大功率IGBT器件已经获得实际应用，日本东芝也已涉足该领域。与此同时，各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术，主要采用1um以下制作工艺，研制开发取得一些新进展。2013年9月12日 我国*的高压大功率3300V/50A IGBT（绝缘栅双较型晶体管）芯片及由此芯片封装的大功率1200A/3300V IGBT模块通过鉴定，中国自此有了完全自主的IGBT“中国芯”。
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